一、產品描述

MFLPECVD408-12是一款PECVD系統的管式爐系統。由真空管式爐、射頻電源、供氣系統、真空系統組成。  最高溫度可以達到1200度，采用30段程序溫控儀表，K型熱電偶，爐膛為高純氧化鋁陶瓷纖維,此設備可用于生長納米線或用CVD方法制備各種薄膜。

二、產品特點

• 1、通過射頻電源把石英真空室內的氣體變為離子態。

• 2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低

• 3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小

• 4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩定性高。

• 5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

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二、技術參數

注：管徑可選：50/60/80/100/120/150/200/300 mm  ,

       溫區可以做雙溫區，三溫區等多溫區，

       請聯系客服

注：管徑可選：50/60/80/100/120/150/200/300 mm  ,

       溫區可以做雙溫區，三溫區等多溫區，

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標配清單：

可選配：

一、售后服務

          品質保證：一年保修，終身技術支持。（特別提示，耗材部分如加熱元件、樣品坩堝等不在保修范圍內因使用腐蝕性氣體造成的損害不在保修范圍內）

二、注意事項     

           1.爐管內氣壓不可高于0.02MPa

          2.由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，為了確保安全，建議使用壓力低于0.02MPa

          3.當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓相當

          4.對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開排氣閥，以防意外發生（如爐 管破裂，法蘭飛出等）